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解決方案 >> 硅料與硅片品質(zhì)提升解決方案
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單晶棒電阻率虛高問(wèn)題
單晶棒檢測時(shí)，常會(huì )碰到電阻率虛高問(wèn)題，后續出現問(wèn)題也很難被察覺(jué)，這有時(shí)候會(huì )讓工程師很煩惱，有一種方法可以避免虛高......
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硅塊硬質(zhì)點(diǎn)漏檢解決方案
切硅塊，大家都知道最怕什么，最怕斷線(xiàn)！加工工藝不合適會(huì )引起斷線(xiàn)，操作不當也會(huì )引起斷線(xiàn)，最主要的是硅塊內部硬質(zhì)點(diǎn)。怎么解決這個(gè)硬質(zhì)點(diǎn)才是關(guān)鍵，那我們來(lái)分析一下吧。
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氧碳含量超標解決方案
氧含量影響電阻率及少子壽命，碳含量影響到硅片的脆性。那標準是什么，如何解決超標問(wèn)題，讓我們來(lái)一起關(guān)注......
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少子壽命不準解決方案
Si片少子壽命是關(guān)鍵參數，直接決定了電池片的效率。但不同的方法會(huì )有不同的結果，如何才能得到想要的真實(shí)結果，什么樣的方法是可靠的....
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硅片碎片率高解決方案
碎片原因很多種，除了人為因素，本身平整度，C含量超標等都會(huì )引起碎片。降低成本，減少碎片，來(lái)看如何解決？
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黑心片黑邊片解決方案
黑心與黑邊是影響電池片發(fā)電效率的嚴重問(wèn)題，關(guān)于其生成的機理和檢測手段，業(yè)內多有研究，如何能更好的解決客戶(hù)問(wèn)題，也是我們一致努力的方向。
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單晶多晶工藝流程
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